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然而，压交这种方法限制了效率，因为它在开路电压和填充因子之间产生了折衷，并且在大面积溶液制造薄膜方面存在挑战。作者对具有这种多孔绝缘体接触（PIC）的电池进行了漂移扩散模拟，流输并通过控制氧化铝纳米板的生长模式，使用固溶工艺实现了漂移扩散。

【数据概况】图1、变电p-i-n器件PIC的概念和仿真©2023AAAS图2、变电通过Al2O3纳米板的固溶过程实现PIC接触设计©2023AAAS图3、PIC对减少非辐射性重组的影响©2023AAAS图4、PIC增强型p-i-n器件的光伏特性©2023AAAS【成果启示】本文提出了一种接触结构来克服目前钙钛矿太阳能电池的挑战，通过沉积氧化铝纳米片形成厚的（~100纳米）电介质掩模，从而产生用于载流子传输的随机纳米级开口。利用接触面积减少约25%的PIC，工程在p-i-n器件中实现了高达25.5%的效率（经认证的稳态效率24.7%）这是p-i-n电池有史以来报告的最高值。